指尖日報 理財科技組
在年度科技盛會NVIDIA GTC 2026上，全球半導體龍頭三星電子投下一枚震撼彈，首次公開亮相其研發中的第七代高頻寬記憶體(HBM)——HBM4E。此舉不僅預告了AI運算能力的再次飛躍，更凸顯了三星與繪圖晶片巨擘NVIDIA之間日益緊密的戰略合作關係，雙方正聯手為次世代的AI基礎設施擘劃藍圖。
根據三星在加州聖荷西GTC大會現場發布的資訊，這款HBM4E記憶體無論在速度或頻寬上都設立了全新標竿。Korea JoongAng Daily報導指出，HBM4E的單針處理速度高達每秒16Gbps，總頻寬達到驚人的每秒4.0TB。相較於前一代產品，其性能提升了36%，更是當前業界主流標準的兩倍，為處理日益龐大複雜的AI模型提供了強大的動力。
三星不僅展示了未來，更強調了當下。The Korea Times的報導提到，三星已進入第六代HBM4記憶體的大規模量產，該產品是專為NVIDIA即將推出的Vera Rubin平台所設計。這款量產中的HBM4處理速度為11.7Gbps，並可進一步優化至13Gbps，展現了三星在先進製程上的穩定良率與領先效能。
作為業界唯一能提供從記憶體、邏輯晶片、晶圓代工到先進封裝的「一站式」AI解決方案供應商，三星此次在GTC大會上火力全開。根據San Jose Today的報導，三星除了展示記憶體外，也秀出了涵蓋晶片組、軟體與服務的全面AI解決方案，宣示其在機器學習、電腦視覺等領域的深厚實力。
三星與NVIDIA的合作不僅止於硬體供應。雙方正積極深化在「AI工廠」開發上的合作，計畫導入NVIDIA的加速運算與Omniverse平台，以加速三星自家半導體廠房的數位雙生製造系統。這項合作橫跨研發、設計到生產，意圖打造全球最完備的晶片製造基礎設施。Businesskorea更披露，兩家公司已共同開發出能將次世代NAND研發速度提升一萬倍的AI系統。
為了應對記憶體堆疊層數增加所帶來的散熱挑戰，三星也秀出了名為「混合銅接合(Hybrid Copper Bonding)」的新一代封裝技術。根據The Korea Herald報導，此技術能讓記憶體堆疊達到16層或更多，同時將熱阻降低超過20%，大幅提升產品的穩定性與效能。
在AI應用從雲端資料中心走向個人裝置的趨勢下，三星也並未缺席。現場同時展示了為終端裝置AI運算量身打造的LPDDR5X與LPDDR6行動記憶體。其中LPDDR6的頻寬將進一步提升至30-35Gbps，並導入先進的電源管理功能，在不犧牲電池壽命的前提下，滿足高解析度遊戲與AI應用的嚴苛需求。
面對全球AI晶片引發的記憶體搶購潮，市場競爭異常激烈。根據多家媒體分析，三星此時高調發表HBM4E並深化與NVIDIA的合作，顯然是為了在與SK海力士等對手的競爭中搶佔有利位置。TechPowerUp的報導指出，三星甚至計畫在其HBM4E的基礎晶片上導入先進的2奈米製程，藉此擴大技術領先優勢。
相關報導：joins.com、koreatimes.co.kr
